Монокристалічна сонячна панель Risen 550W RSM110-8-550M

Сонячна батарея Risen RSM110-8-550M – одне з найпотужніших рішень в галузі фотовольтаїки. Компанія Risen Energy дотримується тенденції щодо підвищення потужностей панелей, тож даний варіант є ідеальним представником серії нових панелей потужностями від 550Вт. Такий модуль поєднує одну з найвищих в галузі потужність, високу якість, та очевидну економічну вигоду. Виготовлений китайським брендом Risen Energy. Компанія позиціонується на ринку як один з найбільших виробників сонячних панелей і входить в престижний список Tier1, який був складений аналітичною компанією Bloomberg.

Основною особливістю сонячної панелі Risen 550W є висока потужність, яка становить 550Вт. Такий модуль дозволить власнику СЕС розмістити потужну установку на відносно обмеженому просторі та зекономити близько 10% свого бюджету на купівлі модулів та здешевлює нормовану вартість електроенергії (LCOE) на 5%. ККД сонячної панелі становить 21%, тому панель надзвичайно ефективно перетворює сонячну енергію в електричну.  Тип панелі - монокристалічна Cut Half-Cell та PERC, що і пояснює таку високу продуктивність даного фотомодуля.

Кількість фотоелементів (комірок) – 110 шт. Розміщуються по 5 шт. у 22 ряди. Габарити пристрою - 2384х1096х35мм. Вага фотомодуля становить 29кг. Рама фотомодуля виконана з алюмінію, який попередньо піддається процесу анодації. Тому сонячна панель захищена від корозії.  Фронтальна частина фотомодуля покрита захисним склом товщиною у 3.2мм, яке відрізняється стійкістю до механічних навантажень, вітрових чи снігових. Фотомодуль відповідає стандарту захисту IP68, тому попадання пилу та вологи всередину пристрою неможливе. Тильну частину сонячної панелі покриває плівка EVA.

Температурні коефіцієнти (потужності, напруги та сили струму) є наступними: для потужності це значення становить -0.34 %/C^o, яке на ринку України є рекордно низьким, для напруги становить -0.25%/Co, для сили струму значення температурного коефіцієнта становить 0.05%/Co. Дані коефіцієнти визначають відсоткові втрати кожної з характеристик при нагріванні фотомодуля на 1C^o від норми (45 С^o).